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时序是什么?为什么它对内存如此重要

发布时间:2024-11-27 20:43:15

众所周知,内存的性能与其频率息息相关,无论是厂商宣传还是用户实际使用阶段,频率都是大家所关注的重点。可实际上,影响内存性能的不仅只有频率,时序也是其中之一。不同时序之下,即使频率相同,也可能会有不一样的表现。

 

本期,我们以神凝PRO为例,为大家讲解时序对内存性能的影响。

超低时序,突破性能桎梏

神凝PRO乃神凝系列基础之上,再次寻求性能突破之杰作。其不仅采用高品质原厂内存颗粒与十层PCB堆叠设计打造,更经云彣(UniWhen®)全新时序优化方案匠心调教,使之同时实现6400 MT/s高频与CL28(28-38-38-102)超低时序,为每一位游戏玩家带来更加平稳顺滑的高帧体验。

 

什么是内存时序

内存时序(Memory Timings)指的是内存模块完成不同操作所需的时间间隔,通常以时钟周期为单位。内存时序的表示形式通常为一组四个数字,如神凝PRO的CL28-38-38-102。这四个数字分别代表内存在执行不同操作时所需的延迟:

 

  1. CL (CAS Latency): 第一位数字,表示内存控制器发出读取命令后,内存芯片响应并开始数据传输的延迟。这个数字越小,内存的响应速度越快
  2. tRCD (RAS to CAS Delay): 第二位数字,表示从行地址选通(RAS)到列地址选通(CAS)之间的延迟。也就是从内存芯片选中一行数据到选中列数据的时间。
  3. tRP (RAS Precharge Time): 第三位数字,表示关闭当前内存行并为下一行数据做准备的延迟。
  4. tRAS (Active to Precharge Delay): 第四位数字,表示内存行处于激活状态的最小时间,在这段时间内不能对该行进行预充电。

内存时序的影响

内存时序直接影响到数据访问的速度。如果内存的时序较高(即数值较大),则每次数据读取或写入的时间会更长,系统的响应时间和数据传输速度会受到影响。而低时序内存(数值较小)则能更快地响应命令,从而提升系统的整体性能。对于需要频繁访问内存的游戏及其它应用而言,低时序尤为重要。

 

在AIDA64内存基准测试中,神凝PRO对比同频CL38(38-48-48-100)时序内存性能提升明显,读取、写入、拷贝等子项成绩均有增幅。而延迟成绩则更为亮眼,降幅达到8.78%。

 

左:神凝PRO 6400 CL28,右:6400 CL38

对内存较为敏感的《绝地求生》游戏测试中,神凝PRO依旧延续强势表现,在其助力下平均帧率提高12 FPS,1% LOW帧也有9 FPS提升。

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